磷化铟（InP）是一种化合物半导体材料。InP衬底是适配1310/1550nm高速光芯片的主流商用基底，可用于制造匹配光纤传输窗口的DFB、EML激光器与APD探测器，为800G/1.6T高速光模块提供核心材料支撑。同时作为CPO架构外置CW光源的基材，能够解决硅光无法发光的短板。
在光通信产业链的多个环节，磷化铟均发挥着不可或缺的作用：
1、发射端：电光转换的核心基材
高速光模块里的发光芯片都需要依托磷化铟衬底制作。其中DFB激光器多用于5G基站、城域低速光模块；EML电吸收调制激光器则是800G/1.6T算力光模块的核心光源。随着CPO架构的普及，机柜内部光芯片集成密度大幅提高，磷化铟衬底的需求也随之持续上涨。
2、接收端：光信号探测的核心载体
PIN、APD光电探测器同样以磷化铟衬底为基础材料，负责把光纤传输的光信号转换为电信号，保障远距离数据传输的信号质量。
3、CPO规模化量产刚需：外置CW光源的基材
硅光芯片只具备信号调制能力，无法自主发光。现在主流分离式CPO方案，必须搭配磷化铟衬底制造的外置连续光CW激光器，是CPO量产环节不可缺少的上游材料。
4、长距离骨干网、相干光通信刚需
跨城算力链路、海底光缆所用的相干光模块，对波长稳定性、线宽、传输损耗标准要求极高，只有磷化铟衬底能够满足低噪声、长距离传输的严苛条件。
随着AI算力与CPO规模化落地，磷化铟衬底需求快速爆发，也是国内光互连产业链的关键攻坚环节。Lumentum预测到2030年，AIDC对磷化铟的需求年复合增长率将达到85%。
据Omdia、Yole，2025年全球磷化铟衬底（2英寸当量）总需求约200—210万片，全球有效合规产能仅60—70万片，接近70%的供需缺口持续拉高产业景气度。
供需的持续紧张直接传导至价格端，推动高端磷化铟衬底价格大幅提升。
据国盛证券研报，2026年4月，高端磷化铟衬底的价格已经从2025年初的800+美元/片，增长至2300-2500美元/片;6英寸高端衬底价格突破5000美元/片，涨幅达到250%。
由于磷化铟单晶生长设备和技术方面存在较高技术壁垒，磷化铟衬底市场参与者较少且以国外厂商为主，头部企业集中度高，垄断格局明显，近年来国产化进程加速。2026年以来，核心磷化铟衬底企业持续扩产，配适高增的需求。
海外
据科创板日报，英伟达日前发布博文，宣布其战略投资的Coherent在美国得州Sherman为扩建工厂奠基，聚焦6英寸磷化铟晶圆与光互连产能，支撑AI数据在机架间以光速传输。
此外，阿斯麦（ASML）与荷兰应用科学研究组织（TNO）宣布达成合作，共同开发并推动光子芯片产业化。项目投产后，相关工厂将具备6英寸晶圆规模的磷化铟（InP）光子芯片量产能力。
国内
云南锗业正加速推进磷化铟产能的全面扩充。据国盛证券研报，2026年4月，云南锗业同意子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”，项目计划总投资约1.9亿元，建设期为18个月。计划在云南鑫耀现有产能基础上扩建一条年产30万片高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片高品质磷化铟单晶片的产能。
兴业科技6月21日公告称，拟5500万元收购青岛立昂磷化铟衬底及半导体电子材料的研发、制造与销售业务，尽管该业务占公司收入比例尚小，但正在推荐相关业务发展。
宿迁联盛6月公告称，公司与朱蓉辉、汇智光芯签署合资意向协议，拟共同出资1000万元设立合资公司，从事磷化铟衬底的研发生产销售。预期达到年生产12万片4-6英寸磷化铟衬底；二期依据一期进展和市场行情，预计追加投资2亿元，产能产线扩充至40万片/年。
产业链相关公司：云南锗业、三安光电、博杰股份、兴业科技、宿迁联盛、兴发集团、澄星股份、豫光金铅、锡业股份等。
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