华为公开半导体芯片专利：可提高三维存储器的存储密度

天眼查显示，华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”，公开号为CN116940110A。

专利摘要显示，本申请涉及半导体芯片技术领域，旨在如何提高三维存储器的存储密度。华为指出，随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D存储器的存储密度接近上限。

为克服2D存储器带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器（3D存储器，也称作三维存储器），通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度。

来源：集微网（12）

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