中国证监会认证证券投资咨询机构(证书编号:ZX0118) | 客服电话:400-636-8688 | 投诉电话:0755-33189899

华为公开半导体芯片专利:可提高三维存储器的存储密度

天眼查显示,华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条名称为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”,公开号为CN116940110A。

华为公开半导体芯片专利:可提高三维存储器的存储密度 1

专利摘要显示,本申请涉及半导体芯片技术领域,旨在如何提高三维存储器的存储密度。华为指出,随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂,这造成2D存储器的存储密度接近上限。

为克服2D存储器带来的限制,业界已经研发了具有三维结构的存储器(3D存储器,也称作三维存储器),通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度。

来源:集微网(12)

华为公开半导体芯片专利:可提高三维存储器的存储密度 2

未经允许不得转载:德讯证顾 » 华为公开半导体芯片专利:可提高三维存储器的存储密度

赞 (0)