天眼查显示,华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条名称为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”,公开号为CN116940110A。
专利摘要显示,本申请涉及半导体芯片技术领域,旨在如何提高三维存储器的存储密度。华为指出,随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂,这造成2D存储器的存储密度接近上限。
为克服2D存储器带来的限制,业界已经研发了具有三维结构的存储器(3D存储器,也称作三维存储器),通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度。
来源:集微网(12)
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