5月18日，市场震荡调整，三大指数低开冲高后回落。盘面上，市场热点较为杂乱，从板块来看，其中存储芯片概念快速拉升，大普微-UW、同有科技20cm涨停，万润科技、深科技、生益科技、柏诚股份、三孚股份、诚邦股份涨停，兆易创新盘中一度涨停。
此次上涨的直接驱动力，来自于兆易创新远超市场预期的业绩。
根据兆易创新2026年第一季度报告，公司实现营业收入41.88亿元，同比增长119.38%；归母净利润高达14.61亿元，同比飙升522.79%。
公司表示，业绩高增长主要得益于存储芯片产品供不应求、实现量价齐升，以及微控制器（MCU）产品在多领域需求带动下出货量大增。
此外，今日存储芯片板块的爆发，还离不开另一个关键催化。
5月17日，与兆易创新关系紧密的国产存储芯片巨头长鑫科技更新了科创板IPO招股书。
招股书披露，公司2025年业绩较此前预期提前实现了盈利，并且今年一季度公司归母净利润规模达247.62亿元。
公司还预计，2026年上半年营业收入将达到1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
对此，长鑫科技表示，今年一季度，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长，利润额大幅增长。
从两公司透露的消息中不难看出，存储市场正在持续演进“超级周期”，在AI加速落地和晶圆大厂扩产背景下，全球先进制程存储需求强劲。
作为信息存储的载体，存储芯片的稳定性与安全性对国家信息安全具有举足轻重的意义。
《“十五五”规划纲要》集成电路专栏明确提出“做精做细成熟制程，提高先进制程制造能力，加快发展关键装备、材料和零部件，发展高性能处理器和高密度存储器”，直接点明了对高密度存储器的重点扶持方向。
当前，中国存储芯片产业在政策支持与市场需求的共同推动下实现快速发展。
长江存储率先推出128层3D NAND Flash产品，长鑫存储在DRAM领域实现技术突破，逐步缩小了与国际领先企业之间的差距。
在芯片设计环节，兆易创新在全球NOR Flash市场位居前三，北京君正在汽车电子存储领域形成差异化特色，紫光国芯专注DRAM技术研发，这些企业共同推动着国产存储芯片生态的完善。
对于国产存储替代而言，成熟制程的产能与成本优势，以及政策与市场双轮驱动是国产存储的核心优势。
眼下，全球存储芯片行业正经历的一场结构性变革。多家券商表示，AI服务器需求的爆炸式增长引发的“产能挤出效应”带来的存储产品供应短缺，显示出行业正从强周期属性转向成长叙事。
招商证券指出，存储行业已进入由AI驱动的结构性超级周期，供需紧缺态势有望延续至2027年甚至更久。随着存储厂商与客户签订多年期长协，行业业绩能见度显著提升，周期性波动有望减弱。
国盛证券认为，AI算力需求爆发驱动存储芯片进入高景气周期，国产化紧迫性持续凸显，长鑫存储、长江存储相继冲刺科创板上市，后续扩产进程预计显著提速。
申万宏源研究指出，工信部启动2026年度工业节能监察，同时长江存储预计6月提交IPO材料，国内存储扩产预期增强。三星工会罢工风险若兑现，或进一步推升全球存储价格，存储板块高景气有望延续，氢氟酸、塑封料等材料受成本传导验证需求旺盛，国产替代窗口持续打开。
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