库存告急! 高带宽内存概念将迎新机遇

【事件】据台湾经济日报今日报道，业界传出，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM。

另外，SK海力士CEO宣布公司2024年和2025年高带宽内存的产能均已售罄，并预测未来专用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会激增。

人工智能关键组件

众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。

高带宽内存作为高性能计算、人工智能及数据中心等前沿领域不可或缺的关键组件。随着人工智能热度高涨，其市场需求正以前所未有的速度飙升。

市场价格飙升

这无疑向市场释放了一个强烈的信号——HBM芯片正面临前所未有的供不应求局面,这也导致市场价格直线飙升。

去年人工智能的爆火，带动高带宽内存价格“逆势暴涨”。到2024年，高带宽内存依旧“状态火热”，带动产业链公司股价“水涨船高”。

据市场调查机构Yole数据，高带宽内存今年以来平均售价是普通动态随机存取存储器（DRAM）的5倍。

据Mordor Intelligence预测，从2024年到2029年，高带宽内存市场规模预计将从约25.2亿美元激增至79.5亿美元，预测期内复合年增长率高达25.86%。

三大巨头开启新一轮技术竞赛

前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。

美光科技今年宣布开始量产HBM3E芯片。美光科技也在2024财年第二财季财报中披露，该公司2024年的高带宽内存产能已经售罄，2025年的绝大多数产能已经分配完毕。

今年2月，三星发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。作为全球最大存储芯片制造商，三星又开始发力。5月21三星芯片部门“换将”任命Young Hyun Jun为半导体部门的新负责人，希望能迎头赶上竞争对手。

日前，SK海力士已宣布研发HBM4，并与台积电就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录，计划从2026年开始批量生产HBM第六代产品——HBM4。

数据来源：CFM闪存市场

投资机会巨大

在市场需求旺盛和技术不断进步的推动下，HBM正逐渐成为存储市场的新星和引领AI时代的新潮流。将迎来更加广阔的发展空间和投资机会。

为了抓住人工智能热潮，国内芯片制造商们也正如火如荼的布局竞争。投资者也开始关注相关概念股的投资机会。

据证券时报数据宝统计，A股市场涉及高带宽内存概念的个股不到20只，你觉得哪家是潜力股？

文章内容仅供参考，不构成投资建议！（23）