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存储芯片:周期上行 AI创新 国产化,三重逻辑共振!

10月存储合约价首次全线上涨
10月合约价,DRAM中DDR2涨幅2-3%,DDR3涨幅3-5%,DDR4涨幅6-15%,DDR5涨幅11-12%。NAND中MLC涨幅1-2%,SLC全线止跌。
此外现货价NAND wafer中512Gb TLC自9月中旬已上涨+42%,本周较上周+13%。
存力为AI创新算力基石
无论是B端大模型训练算力提升,还是C端手机、笔电等AI+升级,均需存力升级支持。
国产化持续催化
半导体国产化除逻辑产品外,存储是兵家必争之地,涉及信息安全,国产化长期趋势不可逆。
机会方向:
弹性模组端:德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储、万润科技、朗科科技等;
上游设计端:兆易创新、东芯股份、普冉股份等;
制造配套端:深科技、华海诚科、雅克科技等。
 风险提示:下游需求不及预期等。
来源:摘自中泰证券研报(12)

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