中国证监会认证证券投资咨询机构(证书编号:ZX0118) | 客服电话:400-636-8688 | 投诉电话:0755-33189899

突破性第三代半导体材料!碳化硅未来5年复合增速超过34%

摘要:碳化硅(Sic)是突破性第三代半导体材料,下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。


       碳化硅(Sic)是突破性第三代半导体材料,与前两代半导体材料相比,以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗,是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
东方财富证券周旭辉表示,主流车厂加速布局800V平台及碳化硅模块,800V强势催化打开碳化硅广阔空间。         据Yole预计,全球碳化硅功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元(73.98亿元)增长至2027年的63亿美元(423.75亿元),复合增速超过34%。

中国银河证券分析师高峰等12月13日发布的研报指出,从产业链层面初步划分,整个SiC产业链主要分为设备、衬底、外延、设计、器件和封装模块,国内多数厂家仅从事产业链部分环节。

碳化硅行业三个重点环节(衬底、外延和器件)中,衬底在产业链中价值量占比最高,接近50%。海通证券分析师余伟民近期发布的研报指出,衬底是碳化硅产业链的核心,衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

来源:摘自财联社

突破性第三代半导体材料!碳化硅未来5年复合增速超过34%

未经允许不得转载:德讯证顾 » 突破性第三代半导体材料!碳化硅未来5年复合增速超过34%

赞 (0)