全线爆发！这一板块迎重磅利好！

6月30日，半导体产业链全线爆发，光刻机板块强势领涨。截至发稿，蓝英装备、凯美特气、中瓷电子等多股强势涨停！

此轮上涨并非单一因素驱动，而是政策红利、技术突破、市场需求及资金面共振的结果。

一、政策端：顶层设计持续加码，自主可控战略升级

1、国常会定调“十年磨一剑”

6月27日国务院常务会议明确提出，以“十年磨一剑”的决心推进高水平科技自立自强，重点围绕“补短板、锻长板”加大科技攻关。会议强调加快突破关键核心技术，巩固优势领域领先地位，这与半导体、光刻机等“卡脖子”环节直接相关。政策定调强化了市场对科技自主可控的长期信心。

2、大基金三期资金落地

5月27日，工商银行、农业银行等六大行宣布拟向国家大基金三期出资1140亿元，资金注入将直接支持半导体产业链关键环节研发及产能扩张。历史经验显示，大基金一期、二期均有效推动了国产替代进程，三期资金落地进一步明确了政策支持力度。

3、中欧合作深化与外部压力倒逼

5月27日中欧半导体企业座谈会强调深化合作，维护全球供应链稳定；而美国4月修订《出口管制条例》，限制对华出口先进光刻机及AI芯片。外部压力与内部合作需求并存，加速了国产替代逻辑的演绎。

二、技术端：全球技术竞赛加剧，国产突破曙光初现

1、ASML下一代光刻机研发提速

6月29日，ASML宣布联合蔡司研发Hyper NA EUV光刻机，目标实现5nm级单次曝光分辨率，适配2035年后的超先进制程需求。这一动向凸显全球半导体技术竞赛白热化，同时倒逼国内产业链加速追赶。

2、国产光刻机产业链突破

上海微电子：600系列光刻机实现90nm量产，28nm浸没式光刻机进入研发阶段，关键零部件国产化率从不足5%提升至30%。

中微公司：EUV光源样机通过验证，联合清华大学实现13.5nm波长输出，为高端光刻机突破奠定基础。

华卓精科：双工件台技术打破ASML垄断，定位精度达1.7nm，接近国际水平。

3、技术路线多元化

在EUV光刻机受限背景下，纳米压印（NIL）、直写光刻等替代技术崛起。例如，日本佳能NIL设备在3D NAND领域良率达90%，功耗仅为EUV的10%；国内芯碁微装直写光刻设备已切入芯片掩模制造领域。

三、市场需求：AI与产业升级驱动，国产替代空间广阔

1、AI算力需求爆发

以DeepSeek为代表的国产大模型推动AI芯片需求增长，腾讯、阿里等云厂商资本开支同比提升。但海外英伟达H20芯片断供加剧国内算力紧张，短期或影响部分AI项目进度，长期则加速国产芯片替代进程。

2、新兴应用场景拓展

智能终端：AI眼镜（如Ray-Ban Meta）渗透率有望快速提升，带动SOC、存储芯片需求。

新能源汽车：碳化硅功率器件需求激增，国产光刻机可满足1μm以上线宽需求，2025年相关设备市场规模预计达20亿元。

工业物联网：CIS、MEMS传感器等领域需求增长，上海微电子SSB300系列光刻机已导入豪威科技等企业。

3、国产替代率提升

2025年一季度，中国半导体设备公司全球市场份额从2023年的15%升至18%，北方华创、中微公司等企业收入占比提升3个百分点。在关税反复及美方限制下，国产设备份额或进一步扩大。

四、券商观点：看好半导体产业链相关投资机会

东莞证券指出，当前半导体周期处于筑底回升阶段，随着行业库存去化接近尾声，叠加 AI 等新兴需求拉动，半导体行业有望持续复苏。长期来看，在国家政策大力支持、国产替代空间广阔、新兴需求快速增长等因素共振下，半导体行业有望迎来新一轮成长周期。看好半导体产业链相关投资机会，如半导体设备、材料、设计、制造、封测等领域。

半导体、芯片、光刻机板块的强势上涨，是政策红利、技术突破、市场需求及资金面共振的结果。在“十年磨一剑”的自主可控战略下，国产半导体产业链有望迎来历史性机遇。

文章内容仅供参考，不构成投资建议！（25）